Grupo de Engenharia de Superfícies, Interfaces e Deposição (GSIDE)

 

As atividades do GSIDE insere-se dentro da linha de pesquisa “Dispositivos MOS, Materiais e Processos” e referem-se a:

(a) Desenvolvimento de técnicas de deposição eletroquímica;

(b) Modelos eletroquímicos para a deposição de metais e simulação estrutural e química das terminações superficiais;

(c) Estudos de limpeza para lâminas de silício visando a obtenção de nanofios e estruturas MOS;

(d) Medida das concentrações superficiais de contaminantes metálicos e
rugosidades através da técnica TXRF e espalhamento de luz LASER,
respectivamente;

(e) Obtenção de dielétricos de porta de alta constante dielétrica;

(f) Sensores para deteção de espécies químicas utilizando filmes obtidos por deposição eletroquímica;

(g) Fabricação de pares termoelétricos integrados utilizando deposição eletroquímica;

(h) Fabricação de nano-fios para deteção de hidrogênio;

(i) Fabricação de diodos Schotky para deteção de infravermelho;

(j) Nano-oxidação do silício e fabricação de nanofios para sensoreamento de espécies.

As atividades mencionadas anteriormente já viabilizaram até o presente
momento, diversas publicações nacionais e internacionais. As pesquisas
vem sendo financiadas com recursos do CNPq, FAPESP e Institutos do
Milênio. Além da formação de recursos humanos, este grupo vem
contribuindo decisivamente para a ampliação da infraestrutura do
LSI/EPUSP, destacando-se com a compra e instalação de um microscópio de
força atômica (AFM), a manutenção dos equipamentos de processamento
térmico rápido (RTP) e fluorescência de raios X em ângulo rasante
(TXRF), o desenvolvimento de técnicas de limpeza, oxidação, silicetação
e deposição; compra de sistemas para caracterização de processos
eletroquímicos, dentre outros. Ainda,cabe destacar que como resultado
do desenvolvimento de processos de eletrodeposição em colaboração a
UFSC, foi construído um radiômetro para aplicações industriais como
parte das atividades de um projeto PADCT.