USP - Universidade de São Paulo

07/06/2018

CMOS-SOI

Coordenador: Prof. Dr. João Antônio Martino
Vice-coordenadora: Profª. Drª. Paula Ghedini Der Agopian

Apresentação

O grupo CMOS-SOI iniciou sua pesquisa em 1990 na área de projeto, fabricação, caracterização eletrica e modelagem de transistores SOI MOSFET, que na época era apenas uma eventual alternativa tecnológica. Com o passar dos anos ganhou importância e atualmente é uma das tecnologias mais avançadas de fabricação de circuitos integrados. A pesquisa em tecnologia SOI tem sido realizada em cooperação com o Imec/Bélgica e Leti/França, que são os mais importantes centros de pesquisa na Europa sobre o assunto. Pesquisadores e alunos do grupo participam de estágio e doutorado sanduiche nestes centros de pesquisa. Mais recentemente o grupo iniciou atividades de pesquisa em transistores Tunnel-FET em cooperação com Imec/Bélgica e transistores de nanofio (nanowire) de silício em cooperação com o Leti/França. O estudo está sendo feito em nível de dispositivo (características analógicas e digitais) e circuitos. A área de sensores e biossensores integrados passou a ser alvo de pesquisa também do grupo, utilizando Tunnel-FET e BE SOI MOSFET, este último dispositivo desenvolvido, fabricado e patenteado pelo grupo CMOS-SOI da Escola Politécnica da USP.

Linhas de Pesquisa

Projeto, Fabricação e Caracterização da Tecnologia NMOS, CMOS e SOI CMOS fabricados no LSI/PSI/USP.
Caracterização, modelagem e simulação (2D e 3D) de transistores avançados em altas e baixas temperaturas (77K a 700K) de dispositivos de última geração fabricados no exterior (FinFET, SOI UTBB, NW, TFETs)
Estudo de radiação em dispositivos para aplicação médica e espacial.
Fabricação de novos dispositivos tais como FinFET e BE SOI MOSFET no LSI/PSI/USP
Processos de fabricação educacionais MOS e SOI para graduação, pós-graduação e extensão (Oficinas)
Biossensores integrados

Projetos em Andamento

2017 – Atual: INCT de Sistemas Micro e Nanoeletrônicos (INCT NAMITEC) INCT de Sistemas Micro e Nanoeletrônicos, apresentado no âmbito da Chamada INCT – MCTI/CNPq/CAPES/FAPs nº 16/2014, sob coordenação do Prof. Jacobus Willibrordus Swart. O projeto proposto lida com o desafio de estudar, projetar e desenvolver elementos de hardware e software a serem utilizados na formação de Redes de Sensores sem Fio usadas em associação com outras tecnologias com objetivo de habilitar a Internet das Coisas. O projeto assume compromissos com a formação de recursos humanos, popularização da ciência e fortalecimento de grupos incipientes da área de micro e nanoeletrônica bem como o fortalecimento das interações com empresas considerando a inovação e a transferência de tecnologia. As principais oportunidades de pesquisa em Redes de Sensores sem Fio decorrem de suas características particulares, da novidade e da interdisciplinaridade do tema.
2016 – Atual: Estudo Teórico e Experimental de Transistores de Tunelamento Induzido por Efeito de Campo (TFET) para Aplicações em Circuitos Analógicos e Biossensores. Este projeto (CNPq- Universal n. 423554/2016-6) estuda uma alternativa para minimizar a potência dissipada em transistores avançados, o chamado transistor de tunelamento induzido por efeito de campo. Nestes dispositivos a corrente é constituída pelo tunelamento de portadores entre bandas, o que torna possível uma redução significativa da corrente de desligamento (Ioff) e também uma inclinação de sublimiar abaixo do limite teórico dos transistores MOS, i.e., este novo dispositivo apresenta um grande potencial para operar com maior de velocidade de chaveamento. Esse projeto visa estudar de forma inédita o uso de um transistor TFET para aplicações em circuitos analógicos e biossensores.

Pesquisadores

1. João Antonio Martino

Iniciou suas atividades em microeletrônica em 1982 na Escola Politécnica da
Universidade de São Paulo onde tornou-se Mestre (1984), Doutor (1988) e
Livre-Docente (1998) em Engenharia Elétrica (Microeletrônica). O pós-
doutorado foi realizado em cooperação entre o IMEC (Interuniversity
Microelectronic Center) na Universidade Católica de Leuven, Bélgica e a
Universidade de São Paulo. É Professor da Escola Politécnica desde 1992 e
tornou-se Professor Titular em 2005. Foi o Chefe do Depto PSI/EPUSP (2009-
2013) e Vice-Chefe (2007-2009). Foi Professor convidado da Universidade
Católica de Leuven, Bélgica em 2003, 2008 e 2016. O seu campo de pesquisa
em circuitos integrados inclui fabricação, caracterização elétrica e modelagem
de dispositivos obtidos pelas tecnologias NMOS, CMOS e SOI CMOS com ênfase
em transistores SOI avançados planares, de múltiplas portas (FinFET) e
transistores de tunelamento (TFETs). É co-autor/co-editor de 8 livros. É autor
e co-autor de mais de 500 publicações. Concluiu a orientação de 50 alunos de
pós-graduação (31 mestrados e 19 doutorados). É Senior Member do IEEE e
Presidente do Capítulo da Electron Devices Society (EDS) do IEEE da Seção Sul-
Brasil desde 2007. Tornou-se Distinguished Lecturer da EDS-IEEE desde
fevereiro de 2008. É pesquisador Nível 1A do CNPq. Coordenador do Centro de
Treinamento de São Paulo (CT-SP) para formação de projetistas de circuitos
integrados do programa CI-Brasil na Escola Politécnica da USP desde 2014.
Participa do comitê assessor de microeletrônica do CNPq (CA-ME) desde
outubro de 2015. Recebeu o Prêmio Padre Roberto Landell de Moura em 2016
da Sociedade Brasileira de Microeletrônica.

http://lattes.cnpq.br/1029892667445223

2. Paula Ghedini Der Agopian

Possui graduação em Engenharia Elétrica com ênfase em computadores pelo
Centro Universitário da FEI (2000), mestrado (2003) e doutorado (2008) em
Engenharia Elétrica (microeletrônica) pela Universidade de São Paulo. O pós-
doutorado foi realizado na Escola Politécnica da Universidade de São Paulo em
cooperação com o Centro de pesquisa Imec/ Bélgica (2014). Gerenciou o
Centro de Treinamento para Projetistas de Circuitos Integrados da Escola
Politécnica da USP do programa CI-Brasil. Atualmente é professora da
Universidade Estadual Paulista (UNESP) e pesquisadora associada à
Universidade de São Paulo e atua nos temas: Tecnologia SOI CMOS, FinFET,
Radiação, dispositivos tensionados , e transistores de tunelamento (TFETs). É
senior member e Vice-Presidente do Capítulo da Electron Devices Society (EDS)
do IEEE da Seção Sul-Brasil. É pesquisadora produtividade Nível 1D do CNPq e
participa de projetos de cooperação internacional entre Brasil e Bélgica.
http://lattes.cnpq.br/0496909595465696

3. Victor Sonnenberg

Possui graduação em Engenharia Elétrica – Mod. Eletrônica pela Fundação
Armando Álvares Penteado – FAAP(1991), mestrado em Engenharia Elétrica
pela Universidade de São Paulo (1996) e doutorado em Engenharia Elétrica
pela Universidade de São Paulo (2001). Atualmente é pesquisador associado ao
Laboratório de Sistemas Integrados da Universidade de São Paulo (LSI-USP),
professor titular (pleno) da FATEC/SP do CEETPS e adjunto I do Centro
Universitário da FEI. Tem experiência na área de Engenharia Elétrica, com
ênfase em Materiais e Componentes Semicondutores, atuando principalmente
nos seguintes temas: Capacitor MOS e SOI, caracterização elétrica, Cargas no
óxido, transistor MOS e SOI e fabricação de componentes básicos.
http://lattes.cnpq.br/2912749496387447

4. Kátia Sasaki

Possui graduação em Engenharia elétrica pela Universidade de São Paulo
(2010), mestrado em Engenharia Elétrica pela Universidade de São Paulo
(2013) e doutorado em Engenharia Elétrica pela Universidade de São Paulo
(2016). Tem experiência na área de Engenharia Elétrica, com ênfase em
Materiais e Componentes Semicondutores, atuando principalmente nos
seguintes temas: transistores UTBB SOI MOSFET e memória 1TDRAM.
http://lattes.cnpq.br/2652242738235496

5. Ricardo Rangel

Possui Mestrado em Ciências pela Escola Politécnica da USP na área de
microeletrônica (2014). É graduado em Materiais, Processos e Componentes
Eletrônicos pela Faculdade de Tecnologia de São Paulo – FATEC-SP (2007).
Atualmente é especialista de laboratório da Escola Politécnica da Universidade
de São Paulo.
http://lattes.cnpq.br/9153233084694344

Estudantes de Pós-Graduação:

Contato

Prof. Dr.João Antônio Martino
martino@usp.br